高纯四-碳批发-为您竭心服务

 在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。因为导致臭氧层破坏的是氟氯烃中的氯原子，它被紫外线辐-中时会分离。碳-氟键比较强，因此分离的可能性比较低。反应放热后，氟开始和碳化硅进行反应，通入等体积的干燥氮气以稀释氟气，使反应继续进行，生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝，然后慢慢地气化。

四-碳是可作为氟和自由基-碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四-碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四-碳也一样，比如我们公司生产的钢瓶装四-碳在14mpa的气压下也是液态的，在正常-压下就是气态的，四-碳是有一定毒性的应该不能用作呼吸。产品经除尘，碱洗除去hf、cof2、sif4、co2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏，通过控制精馏温度，除去o2、n2、h2，得到高纯cf4。

由碳与氟反应，或一氧4化碳与氟反应，或碳化硅与氟反应，或氟石与石油焦在电炉里反应，或二氟-甲4烷与氟4-反应，或四氯4化碳与-银反应，或四氯4化碳与-4氢反应，都能生成四-碳。在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。对于硅和二氧化硅体系，采用cf4-o2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。

四-碳在不同的-压下呈现的状态是不同的，就像氧气在101kpa时会呈现出液态。四-碳是无色、无臭、不燃的可压缩性气体，发挥性较高.四-碳一般认为是惰性低毒物质，在高浓度下是窒息剂，其毒性不及四1氯化碳。产品经除尘，碱洗除去hf、cof2、sif4、co2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏，通过控制精馏温度，除去o2、n2、h2，得到高纯cf4。